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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: - 作者:  Zheng Qi-Wen;  Yu Xue-Feng;  Cui Jiang-Wei;  Guo Qi;  Ren Di-Yuan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/11/07 SRAM  function failure  test pattern  data retention fault   research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384 作者:  Zheng Qi-Wen;  Yu Xue-Feng;  Cui Jiang-Wei;  Guo Qi;  Ren Di-Yuan 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/11/07 Sram  Function Failure  Test Pattern  Data Retention Fault   research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: - 作者:  Li Ming;  Yu Xue-Feng;  Xue Yao-Guo;  Lu Jian;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29 partial-depletion-silicon-on insulator  static random access memory  total-dose effects  power supply current   PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456 作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29 PDSOI  SRAM  总剂量效应  功耗电流  退火效应   Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 3 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Li Yu-Dong;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/29 (60)Co gamma  total-dose irradiation damage effects  SRAM-based FPGA  CMOS cell