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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：红外探测材料与器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 CdZnTe基HgCdTe分子束外延工艺研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者:  王伟强 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/09/11 碲镉汞（hgcdte）  分子束外延（mbe）  碲锌镉（cdznte）  Epd   Pb1-xGexTe材料制备及其电子束蒸发膜层的微结构红外光学特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  谢平 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/08/14 碲锗铅（pb1-xgexte）  电子束蒸发  基片温度  光学常数   新型红外高折射率硒碲铅材料的研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  陈忠祥 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/09/11 硒碲铅（pbte1-xsex）  光学常数  衬底温度  择优取向   分子束外延HgCdTe位错及表面缺陷抑制方法 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  傅祥良 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/08/22 分子束外延  Hgcdte  替代衬底  位错  表面缺陷  器件性能   HgCdTe双层组分异质结技术及其性能评价 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  焦翠灵 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/08/22 Hgcdte  液相外延  双层组分异质结  化学染色法  红外透射光谱  X光衍射  双晶半峰宽  晶格失配  探测率   碲锌镉材料缺陷特性及起源的研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  刘从峰 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/08/22 碲锌镉  缺陷  腐蚀坑  夹杂物  退火   碲锌镉晶体的缺陷研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  刘从峰 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/07/11 Cd1-yznyte  位错  腐蚀坑密度（epd）  第二相沉淀物/夹杂  碲镉汞红外焦平面   集成HgCdTe双色探测芯片技术研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  叶振华 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/07/11 Hgcdte  双色探测器  能带结构  干法刻蚀  刻蚀损伤  倒装芯片回流焊  响应光谱   CdZnTe晶体的生长、评价及衬底应用 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2004 作者:  方维政 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/06/25 Hgcdte红外焦平面  Cd1-yznyte  第二相夹杂物  Hg1-xcdxte外延薄膜  高分辨x-ray衍射  位错腐蚀坑密度  摇摆曲线半峰宽