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半导体研究所 [18]
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期刊论文 [16]
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2017 [1]
2016 [1]
2012 [1]
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学科主题
半导体物理 [18]
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共18条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Significantly extended cutoff wavelength of very long-wave infrared detectors based on InAs/GaSb/InSb/GaSb superlattices
期刊论文
Appl. Phys. Lett., 2017, 卷号: 111, 页码: 161101
作者:
Dongwei Jiang
;
Xi Han
;
Hongyue Hao
;
Yaoyao Sun
;
Zhi Jiang
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2018/06/15
Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors
期刊论文
journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 10, 页码: 105304
Y. F. Lao
;
A. G. U. Perera
;
H. L. Wang
;
J. H. Zhao
;
Y. J. Jin
;
D. H. Zhang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/10
Novel Sb-based type-II superlattices infrared detectors
期刊论文
hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2012, 卷号: 41, 期号: 12, 页码: 3141-3144
Shi, Yanli
;
He, Wenjin
;
Zhang, Weifeng
;
Wang, Yu
;
Yuan, Jun
;
Mo, Jinghui
;
Feng, Jiangmin
;
Hu, Rui
;
Deng, Gongrong
;
Xu, Yingqiang
;
Niu, Zhichuan
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/05/07
2-5m InAs/GaSb superlattices infrared photodetector
期刊论文
hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 1403-1406
Xu, Yingqiang
;
Tang, Bao
;
Wang, Guowei
;
Ren, Zhengwei
;
Niu, Zhichuan
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/06/14
Alignment
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Detectors
Epitaxial growth
Gallium alloys
Gallium arsenide
Indium arsenide
Infrared detectors
Molecular beam epitaxy
Molecular beams
Optoelectronic devices
Semiconducting gallium
Superlattices
Transmission electron microscopy
X ray diffraction
Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: art. no. 077305
Wang GW (Wang Guo-Wei)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Guo J (Guo Jie)
;
Tang B (Tang Bao)
;
Ren ZW (Ren Zheng-Wei)
;
He ZH (He Zhen-Hong)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/17
IR DETECTION MODULES
INAS
Simulation of light coupling enhancement and localization of transmission field via subwavelength metallic gratings
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 8021-8026
Bai WL (Bai Wen-Li)
;
Guo BS (Guo Bao-Shan)
;
Cai LK (Cai Li-Kang)
;
Gan QQ (Gan Qiao-Qiang)
;
Song GF (Song Guo-Feng)
收藏
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浏览/下载:82/23
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提交时间:2010/03/08
surface plasmon
GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: art. no. 028102
作者:
Tang B
;
Wang GW
;
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:159/45
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提交时间:2010/03/08
INAS/GA1-XINXSB SUPERLATTICE
GASB
HETEROJUNCTIONS
PHOTODIODES
SEGREGATION
LAYERS
INAS
ALSB
Effect of Anode Floating Voltage and its Applications in Characterizing Silicon Drift Detectors
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 042901
Wu GG
;
Li HR
;
Liang K
;
Yang R
;
Cao XL
;
Wang HY
;
An JM
;
Hu XW
;
Han DJ
收藏
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浏览/下载:78/31
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提交时间:2010/03/08
GAMMA-RAY SPECTROSCOPY
X-RAY
SPECTROMETERS
Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ENERGY-GAP
100 GAAS
INASSB
INAS1-XSBX
ALLOYS
INSB
TRANSPORT
LAYERS
Electronic structure of ZnO wurtzite quantum wires
期刊论文
european physical journal b, 2006, 卷号: 49, 期号: 4, 页码: 415-420
Xia JB (Xia J. B.)
;
Zhanga XW (Zhang X. W.)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/04/11
LOW-TEMPERATURE GROWTH
BINDING-ENERGIES
NANOWIRE ARRAYS
PHOTOLUMINESCENCE
PHOTODETECTORS
SPECTROSCOPY
SAPPHIRE
CRYSTAL
GAN
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