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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2011 [2]
2009 [3]
2008 [1]
2001 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:33/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: art. no. 031902
Zhang Q
;
Wang XQ
;
He XW
;
Yin CM
;
Xu FJ
;
Shen B
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Ishitani Y
;
Yoshikawa A
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
indium compounds
nondestructive testing
photoconductivity
radiation effects
semiconductor thin films
wide band gap semiconductors
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:191/56
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Fine structural splitting and exciton spin relaxation in single InAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103516
Dou XM
;
Sun BQ
;
Xiong YH
;
Niu ZC
;
Ni HQ
;
Xu ZY
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2010/03/08
deformation
excitons
fine structure
III-V semiconductors
indium compounds
phonons
photoluminescence
semiconductor quantum dots
spin dynamics
Strain relaxation and band-gap tunability in ternary InxGa1-xN nanowires
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 193301
作者:
Li JB
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浏览/下载:209/43
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提交时间:2010/03/08
density functional theory
energy gap
enthalpy
gallium compounds
ground states
III-V semiconductors
indium compounds
Monte Carlo methods
nanowires
semiconductor quantum wires
wide band gap semiconductors
Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:104/6
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INGAASN
LASER
OPERATION
ALLOYS
GROWTH
GAAS
Abnormal alignment of misfit dislocations in In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As/InP heterostructure
期刊论文
chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 50-51
Wu J
;
Li HX
;
Wang ZG
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
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