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科研机构
半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2009 [1]
2008 [3]
2006 [2]
2001 [3]
2000 [2]
1997 [1]
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学科主题
半导体物理 [13]
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学科主题:半导体物理
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Design of high polarization and single-mode photonic crystal laser
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 3955-3960
Chen W
;
Xing MX
;
Ren G
;
Wang K
;
Du XY
;
Zhang YJ
;
Zheng WH
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浏览/下载:87/3
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提交时间:2010/03/08
photonic crystal
dipole mode
quality factor
degree of polarization
Single-photon emission from a single InAs quantum dot
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 501-504
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2010/03/08
FLUORESCENCE
TEMPERATURE
Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1
Zhong, L
;
Ma, XY
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/08
tensile strain
GaAsP/GaInP
photoluminescence
quantum well
laser diodes
LP-MOCVD
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: art.no.011912
Sun Z
;
Xu ZY
;
Yang XD
;
Sun BQ
;
Ji Y
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569
Sun Z (Sun Zheng)
;
Wang BR (Wang Bao-Rui)
;
Xu ZY (Xu Zhong-Ying)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
Radiative recombination characteristics in GaAs multilayer n(+)-i interfaces
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5444-5446
Shen WZ
;
Jiang LF
;
Yu G
;
Lai ZY
;
Wang XG
;
Shen SC
;
Cao X
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浏览/下载:95/14
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提交时间:2010/08/12
FAR-INFRARED DETECTORS
SI-DOPED GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYERS
Electroluminescence from Au/(SiO2/Si/SiO2) nanometer double barrier/p-Si structures and its mechanism
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 50, 页码: 11751-11761
Qin GG
;
Chen Y
;
Ran GZ
;
Zhang BR
;
Wang SH
;
Qin G
;
Ma ZC
;
Zong WH
;
Ren SF
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浏览/下载:91/6
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提交时间:2010/08/12
P-SI
PHOTOLUMINESCENCE
Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal X-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic GaN/GaAs(001) epilayers
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Han JY
;
Liu S
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:106/6
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提交时间:2010/08/12
four-circle diffraction
GaN
phase content
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
GROWTH
STABILITY
RATIO
Optical transitions in cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition on GaAs (100) substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2000, 卷号: 17, 期号: 8, 页码: 612-614
Chen Y
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Xu DP
;
Yang H
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHOTOLUMINESCENCE
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