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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 self-assembled quantum dots  indium arsenide  bimodal size distribution  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MU-M  ISLANDS  DENSITY  EPITAXY  LASER   Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled  MBE  quantum dots  photoluminescence  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  EXCITED-STATES  INXGA1-XAS  LASERS  INP   Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 9, 页码: 5433-5436 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 INAS ISLANDS  GROWTH  GAAS  RELAXATION  EVOLUTION  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY  SIZE   Atomic-force-microscopy investigation of the formation and evolution of Ge islands on GexSi1-x strained layers 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 391-393 Huang CJ; Li DZ; Yu Z; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Effect of growth interruption on the optical properties of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 solid state communications, 1999, 卷号: 109, 期号: 10, 页码: 649-653 Lu ZD; Xu JZ; Zheng BZ; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductors  optical properties  luminescence  CONFIGURATION  LUMINESCENCE  WELLS  TIME