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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2000 [1]
1999 [2]
1997 [1]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403
作者:
Li JB
;
Hou QF
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浏览/下载:66/11
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提交时间:2010/03/08
N-TYPE GAN
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEFECTS
THERMOLUMINESCENCE
CARBON
TRAP
Magnetic properties of tin-doped magnetite nanoparticles
期刊论文
physics letters a, 2006, 卷号: 359, 期号: 1, 页码: 66-69
Lu YW (Lu Yan-Wu)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Liu FX (Liu Fang-Xin)
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2010/04/11
tin-doped magnetite
composition and particle-size effect
paramagnetic properties
TITANOMAGNETITES FE3-XTIXO4
IRON
TRANSITION
ANISOTROPY
OXIDES
The microstructure of hydrogenated microcrystalline silicon thin films studied by small-angle x-ray scattering
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2172-2175
Zhou BQ
;
Liu FZ
;
Zhu MF
;
Gu JH
;
Zhou YQ
;
Liu JL
;
Dong BZ
;
Li GH
;
Ding K
收藏
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浏览/下载:81/48
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提交时间:2010/03/17
hydrogenated microcrystalline silicon thin film
Study of self-assembled InAs quantum dot structure covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) capping layer
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2230-2234
Wang XD
;
Liu HY
;
Niu ZC
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
cap layer
strain-reducing
redshift
MU-M
EMISSION
INGAAS
Effect of growth interruption on the optical properties of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 109, 期号: 10, 页码: 649-653
Lu ZD
;
Xu JZ
;
Zheng BZ
;
Xu ZY
;
Ge WK
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
optical properties
luminescence
CONFIGURATION
LUMINESCENCE
WELLS
TIME
Using Fourier transform infrared grazing incidence reflectivity to study local vibrational modes in GaN
期刊论文
journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6430-6433
Sun WH
;
Chen KM
;
Yang ZJ
;
Li J
;
Tong YZ
;
Jin SX
;
Zhang GY
;
Zhang QL
;
Qin GG
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
RESONANT RAMAN-SCATTERING
HYDROGEN
CARBON
FILMS
GAAS
ABSORPTION
GROWTH
Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
期刊论文
physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 205-211
作者:
Han PD
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
GROWTH
TRANSITION
GAAS
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