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半导体研究所 [162]
内容类型
期刊论文 [134]
会议论文 [28]
发表日期
2013 [1]
2012 [1]
2011 [8]
2010 [8]
2009 [2]
2008 [8]
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学科主题
半导体材料 [162]
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学科主题:半导体材料
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1.8-W Room Temperature Pulsed Operation of Substrate-Emitting Quantum Cascade Lasers
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2014, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 323-325
Yao, DY
;
Zhang, JC
;
Liu, FQ
;
Jia, ZW
;
Yan, FL
;
Wang, LJ
;
Liu, JQ
;
Wang, ZG
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/03/19
Influence of Substrate Temperature on Stress and Morphology Characteristics of Co Doped ZnO Films Prepared by Laser-Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
journal of materials science and technology, 2013, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 1134-1138
Liu, Yunyan
;
Yang, Shanying
;
Wei, Gongxiang
;
Pan, Jiaoqing
;
Yuan, Yuzhen
;
Cheng, Chuanfu
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2014/04/30
Influence of sputtering power and substrate temperature on properties of Al2O3-doped ZnO films
期刊论文
advanced materials research, 2012, 页码: 557-559
Yu, Ge
;
Liu, Ya
;
Hong, Danhong
;
Li, Donglin
;
Zang, Jianxin
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/05/07
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Experimental and theoretical study for InAs quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented InP substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84345
Kong JX
;
Zhu QS
;
Xu B
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:39/3
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提交时间:2011/07/05
The effects of substrate temperature on the properties of diphasic nanocrystalline silicon thin films
期刊论文
optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2011, 卷号: 5, 期号: 40545, 页码: 112-115
Hao HY
;
Xing J
;
Li WM
;
Zeng XB
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:81/3
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提交时间:2011/07/06
Nanocrystalline silicon thin films
Structure
Photoelectrical properties
Stability
MICROCRYSTALLINE SILICON
TRANSITION FILMS
SOLAR-CELLS
HYDROGEN
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:68/4
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提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:63/4
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI(001) SUBSTRATE
STRAIN
EPITAXY
Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3rd international photonics and optoelectronics meetings, wuhan, peoples r china, nov 02-05, 2010
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/07/26
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
收藏
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
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