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半导体研究所 [21]
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半导体材料 [21]
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学科主题:半导体材料
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A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended SiWafer by Conventional Chemical Vapor Deposition
期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 27-31
作者:
X. F. Liu
;
z G. G. Yan
;
Z. W. Shen
;
Z. X.Wen
;
L. X. Tian
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2018/06/15
Effect of hydrogen flow on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on Si(111) substrates
期刊论文
applied surface science, 2015, 卷号: 353, 页码: 744-749
Guoguo Yan
;
Feng Zhang
;
Yingxi Niu
;
Fei Yang
;
Xingfang Liu
;
Lei Wang
;
Wanshun Zhao
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2016/03/29
Multi-wafer 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: art. no. 088101
Sun GS (Sun Guo-Sheng)
;
Liu XF (Liu Xing-Fang)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wan-Shun)
;
Yang T (Yang Ting)
;
Wu HL (Wu Hai-Lei)
;
Yan GG (Yan Guo-Guo)
;
Zhao YM (Zhao Yong-Mei)
;
Ning J (Ning Jin)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
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浏览/下载:172/19
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提交时间:2010/09/07
3C-SiC
heteroepitaxial
multi-wafer
uniformity
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
buffer layer
LPCVD
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1254-1257
作者:
Liu Xingfang
;
Ning Jin
;
Zhao Yongmei
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Growth of a periodic InP-based heteroepitaxial structure for a quantum cascade laser
期刊论文
materials letters, 2005, 卷号: 59, 期号: 22, 页码: 2755-2758
Guo, Y
;
Liu, FQ
;
Liu, JQ
;
Li, CM
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:67/46
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提交时间:2010/03/17
heteroepitaxial structure
Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100)
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 567-573
Sun Guosheng
;
Sun Yanling
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Luo Muchang
;
Zhang Yongxing
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
;
Lin Lanying
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN
期刊论文
journal of materials science letters, 2003, 卷号: 22, 期号: 22, 页码: 1581-1583
Hu GQ
;
Kong X
;
Wang YQ
;
Wan L
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURES
Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260
Tan LW
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yu YH
;
Liu ZL
;
Lin LY
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
heteroepitaxial growth
gamma-Al2O3
silicon
silicon on insulator
FILMS
SI
DEPOSITION
AL2O3
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