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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2003 [1]
2002 [1]
2001 [2]
2000 [2]
1999 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题：半导体材料
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Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
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浏览/下载：351/16
|
提交时间：2010/08/12
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
DEFECTS
DIFFUSION
CRYSTALS
WAFERS
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载：46/0
|
提交时间：2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
SHAPE TRANSITION
PHOTOLUMINESCENCE
FABRICATION
DEPOSITION
WIRES
SITU
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 376-380
Zheng LX
;
Xie MH
;
Xu SJ
;
Cheung SH
;
Tong SY
收藏
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浏览/下载：81/5
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提交时间：2010/08/12
surface processes
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting gallium compounds
GAN(0001) SURFACES
RECONSTRUCTIONS
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Zheng LX
;
Xie MH
;
Xu SJ
;
Cheung SH
;
Tong SY
收藏
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浏览/下载：14/0
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提交时间：2010/11/15
surface processes
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting gallium compounds
GAN(0001) SURFACES
RECONSTRUCTIONS
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
收藏
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浏览/下载：45/0
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提交时间：2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Yoon SF
;
Zheng HQ
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载：61/0
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提交时间：2010/08/12
annealing
InGaAs/GaAs
quantum wells
interdiffusion
quantum dots
MBE
DOT SUPERLATTICE
Kinetic study of MOCVD III-V quaternary antimonides
期刊论文
rare metals, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 16-20
Peng RW
;
Wei GY
;
Wu W
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载：41/0
|
提交时间：2010/08/12
kinetic study
MOCVD
III-V
quaternary antimonide
photodetector
EPITAXIAL-GROWTH
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载：43/0
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提交时间：2010/08/12
annealing
InAs/GaAs
quantum dots
BOX ISLANDS
GAAS
INTERDIFFUSION
GAAS(100)
GROWTH
THRESHOLD
INGAAS
STRAIN
SCALE
OPTICAL-PROPERTIES
PHYSICAL VAPOR TRANSPORT AND CRYSTAL-GROWTH OF GESEXTE1-X SOLID-SOLUTIONS
期刊论文
zeitschrift fur anorganische und allgemeine chemie, 1991, 卷号: 598, 期号: 0, 页码: 339-352
WIEDEMEIER H
;
GE YR
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2010/11/15
GESE-GETE
SUBLIMATION
SYSTEM
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