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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Determination of the interdiffusion coefficients of liquid Zn and Sn using Ta/Zn-Sn/Si trilayers 期刊论文 diffusions in materials：dimat2000, 2001, 卷号: pts 1&2，194-1, 期号: 0, 页码: 883-889 Wang WK; Zhao JH 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2010/08/12 convection-less condition  liquid metal diffusion  solid/liquid-liquid/solid trilayer   Determination of the interdiffusion coefficients of liquid Zn and Sn using Ta/Zn-Sn/Si trilayers 会议论文 5th international conference on diffusion in materials, paris, france, jul 17-21, 2000 Wang WK; Zhao JH 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/15 convection-less condition  liquid metal diffusion  solid/liquid-liquid/solid trilayer   The formation and stability of Si1-xCx alloys in Si implanted with carbon 期刊论文 chinese science bulletin, 2001, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 200-204 Wang YS; Li JM; Jin YF; Wang YT; Sun GS; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 ion implantation  Si1-xCx alloys  stability of Si1-xCx alloys  SI1-YCY   RADIATIVE RECOMBINATION IN N-TYPE AND P-TYPE GAAS COMPENSATED WITH LI 期刊论文 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 12, 页码: 7275-7287 GISLASON HP; YANG BH; PETURSSON J; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION