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科研机构
半导体研究所 [8]
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期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2005 [1]
2003 [1]
2002 [2]
2001 [2]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题：半导体材料
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Investigation of native defects and property of bulk ZnO single crystal grown by a closed chemical vapor transport method
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645
Wei, XC
;
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载：52/0
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提交时间：2010/03/08
defects
X-ray diffraction
growth from vapor
oxides
semiconducting II-VI materials
Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
|
浏览/下载：58/0
|
提交时间：2010/04/11
defects
lateral composition modulation
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wires
semiconductor III-V material
DOTS
HETEROSTRUCTURES
INALAS/INP(001)
SPECTROSCOPY
WAVELENGTH
INP(001)
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载：292/4
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提交时间：2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2010/11/15
defects
GaN
photoluminescence
electronic structures
YELLOW LUMINESCENCE
EPITAXIAL-FILMS
MG
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 303-307
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载：90/4
|
提交时间：2010/08/12
defects
GaN
photoluminescence
electronic structures
YELLOW LUMINESCENCE
EPITAXIAL-FILMS
MG
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 527-531
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载：82/6
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提交时间：2010/08/12
characterization
defects
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
nitrides
GAAS
Effect of in situ thermal treatment during growth on crystal quality of GaN epilayer grown on sapphire substrate by MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 110-117
Xu HZ
;
Takahashi K
;
Wang CX
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
收藏
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浏览/下载：54/0
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提交时间：2010/08/12
gallium nitride
metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) annealing
crystal quality
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BUFFER LAYER
PHASE EPITAXY
DEPENDENCE
DEFECTS
Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载：37/0
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提交时间：2010/08/12
GaN
MgAl2O4
buffer layer
threading dislocation
transmission electron microscopy
LASER-DIODES
GROWN GAN
FILMS
SAPPHIRE
NITRIDE
DEFECTS
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
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