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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2007 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2002 [2]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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The influence of internal electric fields on the transition energy of InGaN/gaN quantum well
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 522-526
Guo LC (Guo Lunchun)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/29
computer simulation
Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 287, 期号: 1, 页码: 28-33
Fan WJ
;
Abiyasa AP
;
Tan ST
;
Yu SF
;
Sun XW
;
Xia JB
;
Yeo YC
;
Li MF
;
Chong TC
收藏
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浏览/下载:99/0
  |  
提交时间:2010/04/11
computer simulation
low dimensional structures
zinc compounds
semiconducting II-VI materials
OPTICAL GAIN SPECTRA
BAND-STRUCTURES
ROOM-TEMPERATURE
LASERS
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/11/15
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120
作者:
Han PD
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浏览/下载:78/8
  |  
提交时间:2010/08/12
computer simulation
crystal morphology
atomic force microscopy
nitrides
AIN BUFFER LAYER
SAPPHIRE
Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152
Lu DC
;
Duan SK
收藏
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浏览/下载:99/7
  |  
提交时间:2010/08/12
computer simulation
molecular vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting quaternary alloys
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUATERNARY ALLOYS
PHASE EPITAXY
GAN
ALINGAN
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