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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings 期刊论文 journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57 Ding F; Li B; Akopian N; Perinetti U; Chen YH; Peeters FM; Rastelli A; Zwiller V; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：71/5  |  提交时间：2011/07/05 Quantum Ring  Quantum Dot  Neutral Exciton  Aharonov Bohm Effect  Gate Controlled  Selective Etching  ENERGY-SPECTRA   High-temperature electron-hole liquid and dynamics of Fermi excitons in a In0.65Al0.35As/Al0.4Ga0.6As quantum dot array 期刊论文 physical review b, 2005, 卷号: 71, 期号: 8, 页码: art.no.085304 Ding, CR; Wang, HZ; Xu, B 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/17 DROPLET FORMATION   Optical Pr operties of GaNAs and GaAsSb Semiconductors 期刊论文 中国科学院研究生院学报, 2005, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 645-655 Luo Xiangdong; Xu Zhongying 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359 Zhang MH; Han YJ; Zhang YH; Huang Q; Bao CL; Wang WX; Zhou JM; Lu LW 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/08/12 LT-GaAs  LT MQWs  defect  photoluminescence  electroabsorption  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  RECOMBINATION  DYNAMICS