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氮化物半导体激光器及外延基板 专利
专利号: CN103493316A, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014
作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介;  上野昌纪
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氮化物半导体发光元件、外延基板及氮化物半导体发光元件的制作方法 专利
专利号: CN102292884A, 申请日期: 2011-12-21, 公开日期: 2011-12-21
作者:  京野孝史;  善积祐介;  盐谷阳平;  秋田胜史;  上野昌纪
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氮化鎵系半導體雷射二極體 专利
专利号: TW201115869A, 申请日期: 2011-05-01, 公开日期: 2011-05-01
作者:  住友隆道;  鹽谷陽平;  善積祐介;  上野昌紀;  秋田勝史
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窒化物半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2009283511A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
作者:  佐藤 智也;  高山 徹;  粂 雅博;  木戸口 勲
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窒化物半導体発光素子 专利
专利号: JP2009071341A, 申请日期: 2009-04-02, 公开日期: 2009-04-02
作者:  大野 彰仁;  蔵本 恭介
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用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
王保柱; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 肖红领; 王军喜; 刘宏新
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The growth of high-al-content inalgan quaternary alloys by rf-mbe 期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 765-768
作者:  Wang, B. Z.;  Wang, X. L.;  Wang, X. Y.;  Guo, L. C.;  Wang, X. H.
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The growth of high-Al-content InAlGaN quaternary alloys by RF-MBE 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 765-768
Wang BZ; Wang XL; Wang XY; Guo LC; Wang XH; Xiao HL; Liu HX
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Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates 期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:  Wu, JJ;  Li, JM;  Cong, GW;  Wei, HY;  Zhang, PF
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Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates 期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:  Wei HY
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