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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2003 [2]
2002 [1]
2000 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13
Shen XM
;
Feng G
;
Zhang BS
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
scanning electron microscopy
X-ray diffraction
Metalorganic vapor phase epitaxy
selective area growth
gallium nitride
CUBIC GAN
OVERGROWN GAN
DEPOSITION
GAAS(100)
Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system
期刊论文
thin solid films, 2003, 卷号: 430, 期号: 1-2, 页码: 50-53
Zhang Q
;
Zhu M
;
Wang L
;
Liu E
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/08/12
catalyzer
hot-wire chemical vapor deposition
simulation
AMORPHOUS-SILICON
DEPOSITION
Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128
Zheng XH
;
Feng ZH
;
Wang YT
;
Zheng WL
;
Jia QJ
;
Jiang XM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
  |  
浏览/下载:125/0
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提交时间:2010/08/12
nucleation layers
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWN GAN
SAPPHIRE SUBSTRATE
QUALITY
FILMS
BLUE
TEMPERATURE
EVOLUTION
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Fu RH
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
2DEG
MD heterostructure
MBE
photoluminescence
GAN
LUMINESCENCE
PLASMA
GALLIUM NITRIDE
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