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半导体研究所 [9]

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半导体材料 [9]

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	Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009) 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: art. no. 129901 作者: Wei HY; Song HP; Jiao CM 收藏 \| 浏览/下载：380/108 \| 提交时间：2010/03/08 aluminium compounds core levels III-V semiconductors magnesium compounds semiconductor heterojunctions semiconductor-insulator boundaries X-ray photoelectron spectra
	Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301 作者: Jin P; Wei HY; Song HP 收藏 \| 浏览/下载：311/47 \| 提交时间：2010/03/08 conduction bands III-V semiconductors II-VI semiconductors indium compounds interface states polarisation semiconductor heterojunctions valence bands wide band gap semiconductors X-ray photoelectron spectra zinc compounds
	Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107 Zhang BL; Sun GS; Guo Y; Zhang PF; Zhang RQ; Fan HB; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：233/42 \| 提交时间：2010/03/08 conduction bands III-V semiconductors indium compounds interface states semiconductor heterojunctions silicon compounds valence bands wide band gap semiconductors X-ray photoelectron spectra
	Optical Pr operties of GaNAs and GaAsSb Semiconductors 期刊论文中国科学院研究生院学报, 2005, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 645-655 Luo Xiangdong; Xu Zhongying 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2010/11/23
	Temperature-induced switching-over of the luminescence transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 548-551 Bian LF; Jiang D; Liang XG; Lu SL 收藏 \| 浏览/下载：41/18 \| 提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY
	Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：321/10 \| 提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION BEAM EPITAXY TECHNIQUE SEMICONDUCTING SILICIDES INDUCED FERROMAGNETISM FILMS MAGNETORESISTANCE TEMPERATURE ALLOYS
	Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者: Li DB 收藏 \| 浏览/下载：57/0 \| 提交时间：2010/08/12 nanostructures stretched exponential time-resolved photolummescence metalorganic vapor phase epitaxy nitrides InAlGaN INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE MULTIPLE-QUANTUM WELLS ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES GAN DECAY LUMINESCENCE SAPPHIRE DEVICES SILICON
	Structural and optical characteristics of self-organized InAs quantum dots grown on GaAs (3 1 1)A substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 1-2, 页码: 70-76 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：31/0 \| 提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots self-assembly molecular beam epitaxy GaAs (3 1 1)A photoluminesence TEMPERATURE-DEPENDENCE THERMAL-ACTIVATION LOCALIZED EXCITONS ORIENTED GAAS PHOTOLUMINESCENCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
	INVESTIGATION OF THE LOCALIZED STATES IN AMORPHOUS-SILICON FILMS USING THE FIELD-EFFECT 期刊论文 chinese physics, 1982, 卷号: 2, 期号: 3, 页码: 841-844 YANG XR; LIAO XB; KONG GL; LIU CL 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2010/11/15

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