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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [14]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2005 [2]
2004 [2]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [16]
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学科主题:半导体材料
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Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/12/12
DEPENDENCE
SPECTRA
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:310/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
Raman scattering characterization of Mn composition and strain in Ga1-xMnxSb/GaSb epitaxial layers
期刊论文
crystal research and technology, 2008, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 1091-1096
Islam MR
;
Chen NF
;
Yamada M
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/03/08
Raman scattering
Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
DOT INFRARED PHOTODETECTORS
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
ROOM-TEMPERATURE
SPECTROSCOPY
PHOTOCONDUCTIVITY
HETEROSTRUCTURES
TRANSITIONS
LASERS
WELLS
INP
Study on growth mechanism of low-temperature prepared microcrystalline Si thin films
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 1890-1894
Gu, JH
;
Zhou, YQ
;
Zhu, MF
;
Li, GH
;
Kun, D
;
Zhou, BQ
;
Liu, FZ
;
Liu, JL
;
Zhang, QF
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/03/17
growth mechanism
Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573
Li, JM
;
Lu, YW
;
Li, DB
;
Han, XX
;
Zhu, QS
;
Liu, XL
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/03/17
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
Aharonov-Bohm oscillation and chirality effect in optical activity of single-wall carbon nanotubes
期刊论文
physical review b, 2004, 卷号: 70, 期号: 15, 页码: art.no.153406
Ye F
;
Wang BS
;
Su ZB
收藏
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浏览/下载:151/35
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提交时间:2010/03/09
PHASE
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:292/4
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Miao ZH
收藏
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浏览/下载:93/3
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提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
optical microscopy
molecular beam epitaxy
nanomaterials
semiconducting III-V materials
laser diodes
TEMPERATURE-DEPENDENCE
M PHOTOLUMINESCENCE
INGAAS OVERGROWTH
GAAS
DOTS
EMISSION
ENERGY
LASER
Analysis of the temperature-induced transition to current self-oscillations in doped GaAs/AlAs superlattices
期刊论文
semiconductor science and technology, 2001, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 239-242
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:95/11
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提交时间:2010/08/12
GAAS-ALAS SUPERLATTICES
ELECTRIC-FIELD DOMAINS
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