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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 AlInGaN四元合金的外延生长及LED器件设计与制备 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 冯向旭 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/06/03 AlInGaN  LED  MOCVD   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：216/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN   射频分子束外延生长AlInGaN四元合金 期刊论文 无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  王保柱 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/23 Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/04/11 OPTICAL-PROPERTIES  RAMAN-SCATTERING  EPILAYERS  LUMINESCENCE  ALINGAN  PHONON  LAYERS  FILMS  ALN  GAN   AlInGaN合金的发光机制研究 期刊论文 人工晶体学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 574-578 作者:  黎大兵 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究 期刊论文 物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637 黄劲松; 董逊; 刘祥林; 徐仲英; 葛维琨 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN