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半导体研究所 [96]
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学科主题
半导体材料 [96]
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共96条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Continuous-wave operation up to 20°C of deep ridge npn-InGaAsP/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.5-μm wavelength
期刊论文
Optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 11388-11393
L.J.Qiao
;
S.Liang
;
L.S.Han
;
J.J.Xu
;
H.L.Zhu
;
W.Wang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/03/23
Single Mode 2 mu m GaSb Based Laterally Coupled Distributed Feedback Quantum-Well Laser Diodes with Metal Grating
期刊论文
chinese physics letters, 2015, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 74206-74209
SONG Yu-Zhi
;
ZHANG Yu
;
SONG Jia-Kun
;
LI Kang-Wen
;
ZHANG Zu-Yin
;
XU Yun
;
SONG Guo-Feng
;
CHEN Liang-Hui
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2016/04/15
Low-threshold,high SMSR tunable external cavity quantum cascade laser around 4.7μm
期刊论文
Optical and Quantum Electronics, 2013, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1147-1155
S. Tan, J. C. Zhang, N. Zhuo, L. J. Wang, F. Q. Liu, D. Y. Yao, J. Q. Liu, Z. G. Wang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2014/02/12
Theoretical analyses on improved beam properties of GaSb-based 2.X-mu m quantum-well diode lasers with no degradation in laser parameters
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 084208
Wang YB (Wang Yong-Bin)
;
Xu Y (Xu Yun)
;
Song GF (Song Guo-Feng)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/04/02
High-brightness 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability
期刊论文
Optics Letters, 2012, 卷号: 37, 期号: 19, 页码: 4071-4073
Cao, Yulian1
;
Ji, Haiming2
;
Xu, Pengfei2
;
Gu, Yongxian2
;
Ma, Wenquan1
;
Yang, Tao2
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/04/02
High-temperature (T = 80 °c) operation of a 2 μm InGaSb - AlGaAsSb quantum well laser
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 044006
Zhang, Yu
;
Wang, Yongbin
;
Xu, Yingqiang
;
Xu, Yun
;
Niu, Zhichuan
;
Song, Guofeng
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/04/19
Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201
作者:
Cao YL
;
Yang T
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/07/05
WELL LASERS
DEPENDENCE
DIODE
GAIN
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:87/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
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浏览/下载:75/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
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