QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Solid source MBE growth of quantum cascade lasers 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2009, 卷号: 97, 期号: 3, 页码: 527-532 Liu FQ (Liu Feng-Qi); Li L (Li Lu); Wang LJ (Wang Lijun); Liu JQ (Liu Junqi); Zhang W (Zhang Wei); Zhang QD (Zhang Quande); Liu WF (Liu Wanfeng); Lu QY (Lu Quanyong); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：161/59  |  提交时间：2010/03/08 CONTINUOUS-WAVE OPERATION   Confined LO-phonon-assisted magnetotunneling in a parabolic quantum well with double barriers 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 2664-2670 Gong J; Liang XX; Ban SL 收藏  |  浏览/下载：58/7  |  提交时间：2010/03/08 LO-phonon   Interface of wet oxidized AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2007, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 19-22 Li RY (Li R. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Guo X (Guo X.); Chen M (Chen M.) 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 SURFACE-EMITTING LASERS  VERTICAL-CAVITY LASERS  OXIDATION  MICROSTRUCTURE  ALXGA1-XAS   Time dependence of wet oxidized AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2005, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 2137-2140 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：141/18  |  提交时间：2010/03/17 SURFACE-EMITTING LASERS   Growth of a periodic InP-based heteroepitaxial structure for a quantum cascade laser 期刊论文 materials letters, 2005, 卷号: 59, 期号: 22, 页码: 2755-2758 Guo, Y; Liu, FQ; Liu, JQ; Li, CM; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：67/46  |  提交时间：2010/03/17 heteroepitaxial structure   Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  UNDOPED SEMIINSULATING INP  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOSPHIDE VAPOR  FE  INTERFACE  PHOTOLUMINESCENCE  WAFER  UNIFORMITY  DIFFUSION  PRESSURE   In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  interfaces  strain  molecular beam epitaxy  semiconductor IIIV materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  TECHNOLOGY  GAAS(001)  BEHAVIOR  SI