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科研机构
半导体研究所 [9]
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2010 [1]
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2008 [3]
2007 [1]
2006 [1]
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学科主题
光电子学 [9]
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学科主题:光电子学
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A study on the spectral response of back-illuminated p-i-n AlGaN heterojunction ultraviolet photodetector
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 53701
Zhao DG
;
Zhang S
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Wang H
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Yang H
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/02/06
SURFACE PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY
III-NITRIDES
Normal incidence p-i-n Ge heterojunction photodiodes on Si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407
Zhou ZW (Zhou Zhiwen)
;
He JK (He Jingkai)
;
Wang RC (Wang Ruichun)
;
Li C (Li Cheng)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
收藏
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/08/17
Germanium
Hererojunction
Photodiode
Tensile strain
Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102
作者:
Su SJ
;
Xue CL
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浏览/下载:52/1
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提交时间:2010/03/08
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
SILICON
GAP
A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics
会议论文
ieee photonicsglobal at singapore, singapore, singapore, dec 08-11, 2008
Wang, LS
;
Zhao, LJ
;
Pan, JQ
;
Zhang, W
;
Wang, H
;
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/09
P-I-N/HBT
WAVE-GUIDE
INP/INGAAS
FREQUENCY
HBT
Fabrication and transport properties of ZnO/Nb-1 wt %-doped SrTiO3 epitaxial heterojunctions
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: art. no. 012115
Wu, YL
;
Zhang, LW
;
Xie, GL
;
Zhu, JL
;
Chen, YH
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浏览/下载:63/3
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提交时间:2010/03/08
MANGANITE-BASED HETEROJUNCTION
SCHOTTKY CONTACTS
TUNNELING CURRENT
ZNO
Valence band offset of ZnO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 19, 页码: art. no. 192107
Fan, HB
;
Sun, GS
;
Yang, SY
;
Zhang, PF
;
Zhang, RQ
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, XL
;
Chen, YH
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:78/32
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提交时间:2010/03/08
ZNO FILMS
GROWTH
DIODES
GAN
On the performance analysis and design of a novel shared-layer integrated devices using RCE-p-i-n-PD/SHBT - art. no. 67820J
会议论文
conference on optoelectronic materials and devices ii, wuhan, peoples r china, nov 02-05, 2007
Shou-Li Z
;
De-Ping X
;
Ya-Li I
;
Hai-Lin C
;
Yin-Zhe C
;
Ang M
;
Ji-He L
;
Jun-Hua G
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/09
RCE- p-i-n-PD
Fabrication of Ge nano-dot heterojunction phototransistors for improved light detection at 1.55 mu m
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 735-737
Shi WH
;
Mao RW
;
Zhao L
;
Luo LP
;
Wang QM
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/04/11
SILICON
HETEROSTRUCTURES
In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 381-385
作者:
Liu C
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提交时间:2010/03/17
doping
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