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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2010 [2]
2006 [3]
学科主题
光电子学 [5]
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学科主题:光电子学
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Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 017307
作者:
Zhang SM
;
Wang LJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Wang LJ
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浏览/下载:113/3
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提交时间:2010/04/05
GaN
light emitting diode
surface treatment
leakage current
THREADING DISLOCATION DENSITIES
LAYERS
NI/AU
LEDS
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 9, 页码: art.no.092114
Wang H (Wang H.)
;
Huang Y (Huang Y.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Wang LL (Wang L. L.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
ELECTRON-TRANSPORT
EPITAXIAL GAN
BAND-GAP
DISLOCATIONS
SAPPHIRE
ALN
Dislocation Reduction in GaN on Sapphire by Epitaxial Lateral Overgrowth
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 419-424
作者:
Wang Hui
;
Zhang Shuming
;
Zhu Jianjun
;
Zhao Degang
;
Wang Hui
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提交时间:2010/11/23
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