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半导体研究所 [13]
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期刊论文 [11]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [2]
2005 [1]
2002 [2]
2000 [3]
1999 [2]
1998 [1]
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学科主题
光电子学 [13]
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学科主题:光电子学
专题:半导体研究所
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Abnormal photoabsorption in high resistance GaN epilayer
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/12/27
GaN
exciton
photovoltaic spectroscopy
MSM
photoresponsivity
Optical properties of light-hole excitons in GaN epilayers
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 11, 页码: article no.116103
Zhang F
;
Xu SJ
;
Ning JQ
;
Zheng CC
;
Zhao DG
;
Yang H
;
Che CM
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浏览/下载:46/3
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提交时间:2011/07/05
TRANSITIONS
ABSORPTION
Theoretical Analysis of Gain and Threshold Current Density for Long Wavelength GaAs-Based Quantum-Dot Lasers
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1898-1904
作者:
Yu Lijuan
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Photoluminescence of Te isoelectronic traps in ZnSeTe/ZnSe quantum wells under hydrostatic pressure
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2002, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 28-32
Fang ZL
;
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
;
Chen Y
;
Peng CL
;
Yuan SX
收藏
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浏览/下载:80/6
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提交时间:2010/08/12
Te isoelectronic traps
pressure
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ZNSE1-XTEX
ALLOYS
EMISSION
CENTERS
BEHAVIOR
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
SI-GE ALLOYS
GROWTH
LAYERS
Steady and transient optical properties of cubic InGaN epilayers
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 11-14
Xu ZY
;
Liu BL
;
Li SF
;
Yang H
;
Ge WK
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/08/12
InGaN
exciton localization
time-resolved photoluminescence
GAN
Photoluminescence study of multilayer In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dot at various temperature
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 19-23
Chen Y
;
Zhang W
;
Li GH
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Wang ZG
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dot
photoluminescence
wetting layer
EXCITON LOCALIZATION
WELLS
Cooperative spontaneous emission of excitons in the semiconductor microcavity
会议论文
conference on vertical-cavity surface-emitting lasers iv, san jose, ca, jan 26-28, 2000
Liu S
;
Lin SM
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/10/29
spontaneous emission
microcavity anisotropy
polarized exciton
SURFACE-EMITTING LASERS
POLARITON PHOTOLUMINESCENCE
CAVITY
OPERATION
RADIATION OF DRESSED EXCITONS IN THE SEMICONDUCTOR MICROCAVITY
期刊论文
物理学报, 1999, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 514
刘世安
;
林世鸣
;
王启明
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18
Zhu ZM
;
Liu NZ
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Wang SZ
;
He L
;
Ji RB
;
Wu Y
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
ZnSe : N
photoluminescence
hound exciton
P-TYPE ZNSE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASER-DIODES
LUMINESCENCE
ACCEPTORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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