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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/07/15
Development of a new high-speed readout system for soi pixel detectors 期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 2019, 卷号: 924, 页码: 480-484
作者:  Nishimura, Ryutaro;  Arai, Yasuo;  Miyoshi, Toshinobu;  Hirano, Keiichi;  Kishimoto, Shunji
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/04/22
Development of a new high-speed readout system for soi pixel detectors 期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 2019, 卷号: 924, 页码: 480-484
作者:  Nishimura, Ryutaro;  Arai, Yasuo;  Miyoshi, Toshinobu;  Hirano, Keiichi;  Kishimoto, Shunji
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/04/22
Directional Coupling and Spin Routing in Catenary-Shaped SOI Waveguide 期刊论文
IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 415-418
作者:  Guo, Yinghui;  Pu, Mingbo;  Li, Xiong;  Ma, Xiaoliang;  Luo, Xiangang
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/05/06
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2019/05/14
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21
A Snapback-Free and Low-Loss Shorted-Anode SOI LIGBT With Self-Adaptive Resistance 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1390-1395
作者:  Xiaorong Luo;  Yang Yang;  Tao Sun;  Jie Wei;  Diao Fan
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17
Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 249-254
作者:  Yongwei Chang;  Jiexin Luo;  Jing Chen;  Lingda Xu;  Zhan Chai
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/13
Numerical and Experimental Investigation of TID Radiation Effects on the Breakdown Voltage of 400-V SOI NLDMOSFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 页码: 710-715
作者:  Shu, Lei;  Wang, Liang;  Zhou, Xin;  Li, Tong-De;  Yuan, Zhang-Yi'an
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/03

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