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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ] 收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文 核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52 作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/03 辐照传感器  基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管  剂量计   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/03/19 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离