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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Model Development for Threshold Voltage Stability Dependent on High Temperature Operations in Wide-Bandgap GaN-Based HEMT Power Devices 期刊论文 MICROMACHINES, 2018, 卷号: 9 作者:  Huang, Huolin;  Li, Feiyu;  Sun, Zhonghao;  Cao, Yaqing 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/02 threshold voltage (V-th) stability  gallium nitride (GaN)  high electron mobility transistors (HEMTs)  analytical model  high-temperature operation