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| 形成纳米线阵列的方法 专利
专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06
作者: 洪培真 ; 徐秋霞; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20
作者: 彭松昂; 金智; 王少青; 毛达诚; 史敬元
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| 一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 专利
专利号: CN201610424181.X, 申请日期: 2018-10-16, 公开日期: 2016-10-12
作者: 丁玉强; 杜立永; 张羽翔; 赵超; 项金娟
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| 堆叠纳米线制造方法 专利
专利号: CN201610080648.3, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-06-29
作者: 孟令款; 闫江; 徐秋霞
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| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
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| FRD的制备方法 专利
专利号: CN201210371807.7, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2014-04-09
作者: 喻巧群; 吴振兴; 朱阳军; 谈景飞; 胡爱斌
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| 一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法 专利
专利号: CN201410008441.6, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-07-08
作者: 杨涛; 卢一泓; 张月; 崔虎山; 李俊峰
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| 一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法 专利
专利号: CN201310085624.3, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2014-06-04
作者: 喻巧群; 朱阳军; 卢烁今; 吴振兴; 田晓丽
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201510514552.9, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2016-01-06
作者: 叶甜春
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| III族氮化物低损伤刻蚀方法 专利
专利号: CN201510868081.1, 申请日期: 2018-05-01, 公开日期: 2016-02-24
作者: 魏珂; 刘新宇; 黄森; 王鑫华
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