|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 专利
专利号: CN104835718B, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
作者: 李国强; 温雷; 高芳亮; 张曙光; 李景灵
  收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 专利
专利号: CN107394581A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24
作者: 克里斯托夫·艾希勒; 安德烈·佐默斯; 哈拉尔德·柯尼希; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈亚斯·莱夫勒
收藏 | 浏览/下载：37/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107342535A, 申请日期: 2017-11-10, 公开日期: 2017-11-10
作者: 刘艳; 高曦; 韩根全; 郝跃; 张庆芳
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 面向化学气相沉积生长单晶金刚石的高导热嵌入型基片托盘设计及其高质量生长工艺研究 期刊论文
集成技术, 2017
作者: 谷继腾; 杨扬; 蒋春磊; 石磊; 牛卉卉
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2018/02/02 |
| 单晶硅直拉法生长工艺的数值模拟 学位论文
: 上海大学, 2017
作者: 年夫雪[1]
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/04/24
|
| 水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟 期刊论文
稀有金属, 2017, 卷号: 41, 页码: 297-303
作者: 年夫雪[1]; 邓先亮[2]; 邓康[3]; 任忠鸣[4]; 吴亮[5]
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/04/24
|
| Si基(100)取向3C-SiC单晶薄膜生长工艺技术研究 期刊论文
2017, 卷号: 38, 页码: 128-130,151
作者: 毛开礼; 王英民; 李斌; 赵高扬
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/20
|
| 硅单晶生长工艺参数建模及多目标优化 期刊论文
2017, 卷号: 46, 页码: 2095-2101
作者: 黄伟超; 刘丁
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/20
|
| 一种直拉硅单晶生长工艺优化固液界面氧分布调节方法 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-03-02
作者: 刘丁; 任俊超; 张新雨; 张晶
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/20 |
