| 用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 | |
| 克里斯托夫·艾希勒; 安德烈·佐默斯; 哈拉尔德·柯尼希; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈亚斯·莱夫勒; 艾尔弗雷德·莱尔 | |
| 2017-11-24 | |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 专利号 | CN107394581A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 |
| 英文摘要 | 提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片(100)。 |
| 公开日期 | 2017-11-24 |
| 申请日期 | 2017-05-15 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89951]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯托夫·艾希勒,安德烈·佐默斯,哈拉尔德·柯尼希,等. 用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片. CN107394581A. 2017-11-24. |
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