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浏览/检索结果: 共47条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy 期刊论文 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2015, 卷号: 137, 页码: 5 作者:  Ji, L(季莲);  Tan, M(谭明);  Honda, K;  Harasawa, R;  Yasue, Y 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  Molecular beam epitaxy  Solar cell  Quantum efficiency  Carrier recombination dynamics   Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 625, 页码: 5 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/12/31 Nitride materials  Crystal growth  Photoluminescence  Multiple quantum wells  Localization states  Green light   Injection current dependences of electroluminescence transition energy in InGaN/GaN multiple quantum wells light emitting diodes under pulsed current conditions 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 118, 期号: 3, 页码: 9 作者:  Zhang, F(张峰);  Ikeda, M;  Zhou, K(周堃);  Liu, ZS;  Liu, JP(刘建平) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31 Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/12/31 ohmic contact  p-type GaN  transportation mechanism  deep-level-defect band   Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 17, 页码: 7 作者:  Yang, WX(杨文献);  Ji, L(季莲);  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Wu, YY(吴渊源) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  molecular beam epitaxy  photoluminescence  carrier luminescence relaxation time   Solid-state tellurium doping of AllnP and its application to photovoltaic devices grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 413, 页码: 5 作者:  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Wu, YY(吴渊源);  Ji, L(季莲);  Bian, LF(边历峰) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/31 Doping  Molecular beam epitaxy  Solar cell   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   The effect of symmetry on resonant and nonresonant photoresponses in a field-effect terahertz detector 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 106, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Sun, JD(孙建东);  Qin, H(秦华);  Lewis, RA;  Yang, XX(杨昕昕);  Sun, YF(孙云飞) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31 Room-temperature terahertz detection based on CVD graphene transistor 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 5 作者:  Yang, XX(杨昕昕);  Sun, JD(孙建东);  Qin, H(秦华);  Lv, L(吕利);  Su, LN(苏丽娜) 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2015/12/31 graphene  field effect transistor  self-mixing  terahertz detection   Efficiency improvement in Si thin film solar cells by employing composite nanocone-shaped grating structure 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 5 作者:  Zhang, Z;  Qiu, BC(仇伯仓);  Shao, B(邵彪);  Wu, XM;  Zhang, RY(张瑞英) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/31