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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
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| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
韩智明
收藏 | 浏览/下载：238/0 | 提交时间：2015/05/03
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| 延伸波长In0.82Ga0.18As 红外探测器器件结构优化设计 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
赵旭
收藏 | 浏览/下载：95/0 | 提交时间：2015/05/03
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| InGaAs Complementary metal-oxide-semiconductor fabricated on GaAs Substrate using Al2O3 as gate oxide 会议论文
作者: Zhou SH(周生辉); Liu GM(刘桂明); Liu HG(刘洪刚); Ceng ZH(曾振华); Zhao W(赵威)
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2015/05/07 |
| Investigation of InGaAs thermophotovoltaic cells under blackbody radiation 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 卷号: 7, 期号: 9
作者: Lu SL(陆书龙) ; Ji L(季莲); Yang H(杨辉)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2014/12/01
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| 一种太赫兹波高速调制器及其制作方法 专利
专利号: CN102520532B, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
作者: 张雄; 丛嘉伟; 郭浩; 崔一平
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 专利
专利号: CN103779786A, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2014-05-07
作者: 马淑芳; 许并社; 李学敏; 韩蕊蕊; 田海军
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种半导体激光器外延片及其制造方法 专利
专利号: CN103715605A, 申请日期: 2014-04-09, 公开日期: 2014-04-09
作者: 许并社; 李学敏; 马淑芳; 田海军; 吴小强
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2014
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收藏 | 浏览/下载：297/0 | 提交时间：2016/11/06
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