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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文 硕士: 中国科学院大学, 2014 韩智明 收藏  |  浏览/下载：218/0  |  提交时间：2015/05/03 金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层   808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制 期刊论文 半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 12 作者:  王翎;  李沛旭;  房玉锁;  汤庆敏;  张新 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23 半导体激光器mini阵列  应变量子阱  金属有机化合物化学气相淀积   纳米半导体技术 专著 北京:化学工业出版社, 北京, 2006 作者:  叶小玲 收藏  |  浏览/下载：329/0  |  提交时间：2009/09/19