| 一种半导体激光器外延片及其制造方法 | |
| 许并社; 李学敏; 马淑芳; 田海军; 吴小强 | |
| 2014-04-09 | |
| 著作权人 | 太原理工大学 |
| 专利号 | CN103715605A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器外延片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光器外延片及其制造方法，本发明公开了一种半导体激光器件及其制备方法。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlyGa1-yAs下限制层，AlzGa1-zAs下波导层，多个InGaAs量子阱层及相应的GaAsP势垒层，AlzGa1-zAs上波导层，p-AlyGa1-yAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层，p-GaAs顶层。空穴浓度的增加使得量子阱内电子与空穴的复合几率增加，器件效率得到提高。本发明提供了一种既能提高半导体激光器效率又能降低外延片制作成本的较为简单实用的方法。 |
| 公开日期 | 2014-04-09 |
| 申请日期 | 2013-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63570]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 太原理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许并社,李学敏,马淑芳,等. 一种半导体激光器外延片及其制造方法. CN103715605A. 2014-04-09. |
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