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科研机构
光电技术研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2013 [6]
学科主题
Annealing ... [1]
Annealing ... [1]
Ion implan... [1]
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发表日期:2013
内容类型:期刊论文
专题:光电技术研究所
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Characterization of Silicon Wafers with Combined Photocarrier Radiometry and Free Carrier Absorption
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2013, 卷号: 34, 期号: 8-9, 页码: 1735-1745
作者:
Li, Bincheng
;
Huang, Qiuping
;
Ren, Shengdong
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2015/04/17
Electronic transport properties
Free carrier absorption
Ion implantation
Photocarrier radiometry
Silicon
Thermal annealing
Optical and photo-carrier characterization of ultra-shallow junctions in silicon
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 1294-1300
作者:
Huang QiuPing
;
Li BinCheng
;
Ren ShengDong
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/04/17
photocarrier radiometry
spectroscopic ellipsometry
photoluminescence
ultra-shallow junctions
silicon
Combined frequency- and time-domain photocarrier radiometry characterization of ion-implanted and thermally annealed silicon wafers
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 5
作者:
Ren Sheng-Dong
;
Li Bin-Cheng
;
Gao Li-Feng
;
Wang Qian
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2015/04/17
photocarrier radiometry
ion implantation
effective lifetime
silicon
Optical and photo-carrier characterization of ultra-shallow junctions in silicon
期刊论文
Science China: Physics, Mechanics and Astronomy, 2013, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 1294-1300
作者:
Huang, Qiuping
;
Li, Bincheng
;
Ren, Shengdong
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2016/11/21
Combined frequency- and time-domain photocarrier radiometry characterization of ion-implanted and thermally annealed silicon wafers
期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 057202
作者:
Ren, Sheng-Dong
;
Li, Bin-Cheng
;
Gao, Li-Feng
;
Wang, Qian
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/11/21
Characterization of silicon wafers with combined photocarrier radiometry and free carrier absorption
期刊论文
International Journal of Thermophysics, 2013, 卷号: 34, 期号: 8-9, 页码: 1735-1745
作者:
Li, Bincheng
;
Huang, Qiuping
;
Ren, Shengdong
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提交时间:2016/11/21
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