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科研机构
半导体研究所 [33]
内容类型
期刊论文 [31]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [33]
学科主题
半导体材料 [33]
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共33条,第1-10条
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
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Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
Jin, L
;
Zhou, HY
;
Qu, SC
;
Wang, ZG
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2012/02/06
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GROWTH
SEMICONDUCTORS
NANOSTRUCTURES
COMPUTATION
INGAAS
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
收藏
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:119/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
InP-based deep-ridge NPN transistor laser
期刊论文
optics letters, 2011, 卷号: 36, 期号: 16, 页码: 3206-3208
Liang S
;
Kong DH
;
Zhu HL
;
Zhao LJ
;
Pan JQ
;
Wang W
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2011/09/14
OPERATION
EPITAXY
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
收藏
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浏览/下载:65/2
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提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
收藏
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Experimental and theoretical study for InAs quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented InP substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84345
Kong JX
;
Zhu QS
;
Xu B
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
收藏
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浏览/下载:54/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:90/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
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