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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10 作者:  Lu SL(陆书龙);  Lu SL(陆书龙);  Dong JR(董建荣);  Bian LF(边历峰) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/01/15 一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片 专利 专利号: CN101478114A, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08 作者:  邓昀;  曲轶;  张晶;  乔忠良;  李辉 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 1310 nm gainnas triple quantum well laser with 13 ghz modulation bandwidth 期刊论文 Electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23 作者:  Zhao, H.;  Haglund, A.;  Westburgh, P.;  Wang, S. M.;  Gustavsson, J. S. 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and characterization of gainnas by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 作者:  Zhao, H.;  Wang, S. M.;  Zhao, Q. X.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  Ingaas  Gainnas   1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 赵欢 收藏  |  浏览/下载：52/7  |  提交时间：2009/04/13 Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: art.no.100206 Lu SL (Lu, Shulong); Nosho H (Nosho, Hidetaka); Tackeuchi A (Tackeuchi, Atsushi); Bian LF (Bian, Lifeng); Dong JR (Dong, Jianrong); Niu ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：175/28  |  提交时间：2010/03/08 ALLOYS   Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：180/35  |  提交时间：2010/03/08 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  InGaAs  GaInNAs   1310 nm GaInNAs triple quantum well laser with 13 GHz modulation bandwidth 期刊论文 electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23 Zhao H; Haglund A; Westburgh P; Wang SM; Gustavsson JS; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：83/31  |  提交时间：2010/03/08 THRESHOLD-CURRENT-DENSITY  RANGE