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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2009 [6]
学科主题
光电子学 [2]
半导体物理 [1]
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发表日期:2009
专题:半导体研究所
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Mode analysis for equilateral-triangle-resonator microlasers with metal confinement layers
期刊论文
Ieee journal of quantum electronics, 2009, 卷号: 45, 期号: 12, 页码: 1529-1536
作者:
Yang, Yue-De
;
Huang, Yong-Zhen
;
Wang, Shi-Jiang
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Equilateral triangle resonator (etr)
Microcavities
Microlasers
Semiconductor lasers
A new p-n structure ultraviolet photodetector with p(-)-gan active region
期刊论文
Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7255-7260
作者:
Zhou Mei
;
Zhao De-Gang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
P menus type gan
Ultraviolet photodetector
Quantum efficiency
Mode Analysis for Equilateral-Triangle-Resonator Microlasers with Metal Confinement Layers
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2009, 卷号: 45, 期号: 12, 页码: 1529-1536
Yang, YD (Yang, Yue-De)
;
Huang, YZ (Huang, Yong-Zhen)
;
Wang, SJ (Wang, Shi-Jiang)
收藏
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浏览/下载:215/48
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提交时间:2010/03/08
Equilateral triangle resonator (ETR)
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:193/43
  |  
提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
A new p-n structure ultraviolet photodetector with p(-)-GaN active region
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7255-7260
Zhou M (Zhou Mei)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
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浏览/下载:188/83
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提交时间:2010/03/08
p menus type GaN
Properties of alyga1-yn/alxga1-xn/aln/gan double-barrier high electron mobility transistor structure
期刊论文
Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4
作者:
Guo Lun-Chun
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Ran Jun-Xue
;
Wang Cui-Mei
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提交时间:2019/05/12
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