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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [3]
学科主题
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
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发表日期:2006
专题:半导体研究所
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Electrical properties of undoped in0.53ga0.47as grown on inp substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293
作者:
Cui, L. J.
;
Zeng, Y. P.
;
Wang, B. Q.
;
Zhu, Z. P.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Characterization
Point defects
Molecular beam epitaxy
Semiconducting gallium compounds
Semiconducting indium compounds
Semiconducting ternary compounds
Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293
Cui LJ (Cui L. J.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang BQ (Wang B. Q.)
;
Zhu ZP (Zhu Z. P.)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/04/11
characterization
point defects
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium compounds
semiconducting indium compounds
semiconducting ternary compounds
1.55 MU-M
QUANTUM-WELLS
TEMPERATURE
GAAS
Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/04/11
growth mode
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
indium nitride
X-RAY-DIFFRACTION
THREADING DISLOCATIONS
ELECTRON-TRANSPORT
BUFFER LAYER
THIN-FILMS
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