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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2002 [4]
学科主题
半导体材料 [2]
光电子学 [1]
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共4条,第1-4条
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发表日期:2002
专题:半导体研究所
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Metalorganic chemical vapor deposition of ganas alloys using different ga precursors
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522
作者:
Wei, X
;
Wang, GH
;
Zhang, GZ
;
Zhu, XP
;
Ma, XY
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
High resolution x-ray diffraction
Precursor
Metalorganic chemical vapor depositions
Gallium compounds
Metalorganic Chemical Vapor Deposition of GaNAs Alloy Using Dimethylhydrazine as Nitrogen Precursor
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 565-570
作者:
Wei Xin
;
Chen Lianghui
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/10/29
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
FLOATING-ZONE GROWTH
CRYSTAL-GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
SEGREGATION
STOICHIOMETRY
SILICON
DEFECTS
INSB
Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522
Wei X
;
Wang GH
;
Zhang GZ
;
Zhu XP
;
Ma XY
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:85/2
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提交时间:2010/08/12
high resolution X-ray diffraction
precursor
metalorganic chemical vapor depositions
gallium compounds
LASER-DIODES
SOLAR-CELLS
BAND-GAP
GAINNAS
DIMETHYLHYDRAZINE
GROWTH
PYROLYSIS
EPITAXY
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