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| 半导体激光器装置 专利
专利号: CN101599617B, 申请日期: 2012-11-21, 公开日期: 2012-11-21
作者: 高山彻; 早川功一; 佐藤智也; 佐佐木正隼; 木户口勋
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| 半导体激光装置 专利
专利号: CN101483318B, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
作者: 藤本康弘; 中谷东吾; 高山彻; 木户口勋
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 双波长半导体激光装置及其制造方法 专利
专利号: CN101394065B, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16
作者: 粂雅博; 高山彻; 高须贺祥一; 木户口勋
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| Ⅲ族元素氮化物结晶半导体器件 专利
专利号: CN1610138B, 申请日期: 2010-05-12, 公开日期: 2010-05-12
作者: 北冈康夫; 峯本尚; 木户口勋; 塚本和芳
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| 半导体激光器装置 专利
专利号: CN101582564A, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 2009-11-18
作者: 高山彻; 永井洋希; 佐藤仁; 佐藤智也; 木户口勋
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 双波长半导体激光器装置 专利
专利号: CN101533991A, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16
作者: 早川功二; 高山彻; 粂雅博; 佐藤智也; 木户口勋
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| 半导体激光装置 专利
专利号: CN101490915A, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22
作者: 佐藤智也; 高山彻; 早川功一; 木户口勋
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半导体激光器装置及其制造方法 专利
专利号: CN101359806A, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04
作者: 高山彻; 佐藤智也; 木户口勋
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| 半导体激光装置及其制造方法 专利
专利号: CN101252254A, 申请日期: 2008-08-27, 公开日期: 2008-08-27
作者: 藤本康弘; 高山彻; 木户口勋
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| 氮化物半导体元件及其制造方法 专利
专利号: CN100349341C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14
作者: 菅原岳; 川口靖利; 石桥明彦; 木户口勋; 横川俊哉
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