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Cu/SiO_2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂 期刊论文
半导体技术, 2019, 页码: 189-193
作者:  郭春扬[1];  张瑞英[2];  刘纪湾[3];  王林军[4]
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/04/22


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