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兰州理工大学 [1]
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期刊论文 [2]
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2022 [2]
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The controllable electronic characteristics and Schottky barrier of graphene/GaP heterostructure via interlayer coupling and in-plane strain
期刊论文
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 2022, 卷号: 284
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
;
Xue, Hongtao
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提交时间:2022/08/09
Binding energy
Calculations
Gallium compounds
Graphene
Ground state
Heterojunctions
III-V semiconductors
Ohmic contacts
Schottky barrier diodes
Strain
Thermoelectric equipment
Van der Waals forces
Electronic characteristics
Graphene/GaP
In-plane strains
Interlayer coupling
Layer-spacing
Micro/nano
Nanoelectronic devices
P-type
Schottky barriers
Schottky contacts
Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer
期刊论文
SMALL, 2022, 页码: 7
作者:
Wei, Yu-Ning
;
Hu, Xian-Gang
;
Zhang, Jian-Wei
;
Tong, Bo
;
Du, Jin-Hong
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浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2022/07/14
carbon nanotube films
Fermi-level pinning
germanium
metal-induced gap states
ohmic contacts
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