QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge   MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/09/17 AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics