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物理研究所 [8]
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2013 [1]
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2004 [1]
2003 [2]
1995 [1]
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Bias polarity-sensitive electrical failure characteristics of ZnSe nanowire in metal-semiconductor-metal nanostructure
期刊论文
PROGRESS IN NATURAL SCIENCE-MATERIALS INTERNATIONAL, 2014, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 109
Tan, Y
;
Wang, YG
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2015/04/14
Semiconductor nanowire
Electrical failure
Schottky barrier
Bias polarity
In situ TEM
Optically Powered ZnO Nanowires with Symmetric and Asymmetric Contacts
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2013, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 1203
Zhang, LH
;
Zhang, XX
;
Lai, JL
;
Liu, Z
;
Hou, SM
;
Xie, SS
;
Gao, M
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/01/16
ZnO Nanowire
Photovoltage
Photocurrent
Position Sensitivity
Schottky Barrier
Rectifying effect of heterojunctions between metals and doped conducting polymer nanostructure pellets
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2008, 卷号: 17, 期号: 7, 页码: 2707
Long, YZ
;
Yin, ZH
;
Hui, W
;
Chen, ZJ
;
Wan, MX
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/24
TEMPLATE-FREE METHOD
NANOTUBULAR POLYANILINE
ELECTRICAL-CONDUCTIVITY
SCHOTTKY-BARRIER
POROUS SILICON
POLYPYRROLE
POLYACETYLENE
FABRICATION
DIODES
Generic guiding principle for the prediction of metal-induced reconstructions of compound semiconductor surfaces
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2008, 卷号: 78, 期号: 7
Yang, SY
;
Zhang, LX
;
Chen, H
;
Wang, EG
;
Zhang, ZY
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/17
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
AUGMENTED-WAVE METHOD
GAAS(110) SURFACE
GAAS(001) SURFACES
MOLECULAR-DYNAMICS
INAS(110) SURFACE
SCHOTTKY-BARRIER
ATOMIC-STRUCTURE
INGAAS ALLOYS
CS
Ce/GaN(0001) interfacial formation and electronic properties
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 943
Xiao, WD
;
Guo, QL
;
Wang, EG
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/17
METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE
WURTZITE GAN SURFACES
SCHOTTKY CONTACTS
BARRIER HEIGHTS
GROWTH
FILMS
GAN(0001)-(1X1)
SI(111)
STATES
CE
Investigations of three-terminal electronic measurement on quantum dot devices
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2003, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 677
Zhu, Y
;
Wang, TH
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/09/18
CURRENT TRANSPORT
SCHOTTKY DIODE
TRANSISTORS
HYSTERESIS
BARRIER
Gd on GaN(0001) surface: Growth, interaction, and Fermi level movement
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4847
Xiao, WD
;
Guo, QL
;
Xue, QK
;
Wang, EG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
WURTZITE GAN SURFACES
ELECTRONIC-PROPERTIES
SCHOTTKY CONTACTS
BARRIER HEIGHTS
INTERFACE
FILMS
OXYGEN
STATES
ION-BEAM SYNTHESIS OF YTTRIUM SILICIDES IN (111)SI
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1995, 卷号: 96, 期号: 1-2, 页码: 347
JIN, S
;
LIN, JH
;
CHEN, LJ
;
SHI, WD
;
ZHANG, Z
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/18
ULTRAHIGH-VACUUM
THIN-FILMS
EPITAXIAL YTTRIUM
SCHOTTKY-BARRIER
111 SI
SILICON
GROWTH
CONTACTS
SI(111)
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