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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
学科主题
光电子学 [2]
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Schottky barrier light emitting diode in standard CMOS technology
期刊论文
group iv photonics (gfp), 2011 8th ieee international conference on, 2011, 页码: 296-298
Huang, Beiju
;
Wang, Wei
;
Dong, Zan
;
Zhang, Zanyun
;
Guo, Weilian
;
Chen, Hongda
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/06/13
CMOS integrated circuits
Diodes
Light
Light emission
Photonics
Schottky barrier diodes
Semiconducting silicon compounds
Semiconductor diodes
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Hao XP (Hao Xiao-Peng)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Wei L (Wei Long)
收藏
  |  
浏览/下载:73/2
  |  
提交时间:2010/05/24
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
REVERSE-BIAS LEAKAGE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-N-JUNCTIONS
POSITRON-ANNIHILATION
DIODES
FILMS
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