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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers 会议论文 9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001 Kang JY; Shen YW; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 defects  GaN  photoluminescence  electronic structures  YELLOW LUMINESCENCE  EPITAXIAL-FILMS  MG   Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 303-307 Kang JY; Shen YW; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：89/4  |  提交时间：2010/08/12 defects  GaN  photoluminescence  electronic structures  YELLOW LUMINESCENCE  EPITAXIAL-FILMS  MG   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA