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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Research on the band-gap of InN grown on siticon substrates
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Xiao, HL
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Zhang, NH
;
Liu, HX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:100/15
  |  
提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
WURTZITE INN
NITRIDE
ABSORPTION
ALLOYS
FILMS
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
会议论文
5th international conference on nitride semiconductors (icns-5), nara, japan, may 25-30, 2003
作者:
Li DB
收藏
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浏览/下载:13/2
  |  
提交时间:2010/10/29
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
QUATERNARY ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/11/15
annealing
molecular beam epitaxy
germanium silicon alloys
semiconducting materials
STRAIN RELAXATION
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