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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体化学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ordered Zinc Antimonate Nanoisland Attachment and Morphology Control of ZnO Nanobelts by Sb Doping 期刊论文 journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 22, 页码: 9638-9643 Cheng BC; Tian BX; Sun W; Xiao YH; Lei SJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：92/0  |  提交时间：2010/03/08 DOPED ZNO  QUANTUM DOTS  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  OXIDES  NANOSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  RECOMBINATION  NANOPARTICLES  NANOCRYSTALS   Shape stability of InAs self-assembled islands on vicinal GaAs(001) substrates 期刊论文 chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252 作者:  Liang S 收藏  |  浏览/下载：120/25  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-DOTS  TRANSITION  GAAS(100)  GROWTH  GAAS   Zn2SiO4/ZnO Core/Shell Coaxial Heterostructure Nanobelts Formed by an Epitaxial Growth 期刊论文 journal of physical chemistry c, 2008, 卷号: 112, 期号: 42, 页码: 16312-16317 Cheng BC; Yu XM; Liu HJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/08 LOW-TEMPERATURE GROWTH   Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE 期刊论文 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151 Zhu QS; Matsushima H; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWTH  FACETS  WIRES  MOCVD   The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195 Wang YS; Li JM; Lin LY; Zhang FF 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  epitaxial growth  RHEED  Raman spectrum  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HYDROCARBON RADICALS  SILICON  SURFACES  FILMS  LAYER  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Compatibility relationship among reaction equilibria, equivalence principle of reaction approaches, and silicon contamination in semiconductors 期刊论文 journal of physical chemistry b, 1998, 卷号: 102, 期号: 20, 页码: 3986-3992 Yang R 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 GAAS  GROWTH