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科研机构
半导体研究所 [16]
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期刊论文 [16]
发表日期
2012 [1]
2009 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2001 [1]
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学科主题
半导体材料 [16]
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学科主题:半导体材料
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Light extraction efficiency improvement by multiple laser stealth dicing in InGaN-based blue light-emitting diodes
期刊论文
optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 6808-6815
Zhang, YY
;
Xie, HZ
;
Zheng, HY
;
Wei, TB
;
Yang, H
;
Li, J
;
Yi, XY
;
Song, XY
;
Wang, GH
;
Li, JM
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/17
Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381
作者:
Liu J
;
Zhu H
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/03/08
HEMT
2DEG
Peculiar photocurrent response due to Gamma-X coupling in a GaAs/AlAs heterostructure
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 643-646
Hu B
;
Zheng HZ
;
Peng J
;
Li GR
;
Li YH
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/04/11
QUANTUM-WELL
STORAGE
SUPERLATTICES
Laterally confined modes in wet-etched, metal-coated, quantum-dot-inserted pillar microcavities
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 493-496
作者:
Tan PH
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浏览/下载:135/24
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提交时间:2010/03/09
SPONTANEOUS EMISSION
Capacitance-voltage spectroscopy of In0.5Ga0.5As self-assembled quantum dots in double quantum wells under selective photo-excitation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 760-762
Li GR
;
Zheng HZ
;
Yang FH
;
Hu CY
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
STATES
Capacitance-voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells
期刊论文
semiconductor science and technology, 2001, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 822-825
作者:
Tan PH
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浏览/下载:72/4
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提交时间:2010/08/12
RESONANT-TUNNELING DIODES
DOTS
HOLES
Landauer-Buttiker formula for time-dependent transport through resonant-tunneling structures: A nonequilibrium Green's function approach
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 1978-1983
You JQ
;
Lam CH
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
CURRENT PARTITION
CONDUCTANCE
SYSTEMS
Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101
作者:
Han PD
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs
islands
MBE
PL
growth interruption
ORGANIZATION
TRANSITION
GAAS
QUANTUM
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
InAs/GaAs
quantum dots
BOX ISLANDS
GAAS
INTERDIFFUSION
GAAS(100)
GROWTH
THRESHOLD
INGAAS
STRAIN
SCALE
OPTICAL-PROPERTIES
Self-consistent calculation of electronic states in asymmetric double barrier structure
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 367-371
Song AM
;
Zheng HZ
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/17
electron states
RESONANT-TUNNELING STRUCTURE
SPACE-CHARGE BUILDUP
INTRINSIC BISTABILITY
PHONON-EMISSION
DEVICES
DIODE
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